Name: RGS60TS65DHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGS60TS65DHRC11-ND
Price: 8.604 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGS60TS65DHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGS60TS65DHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGS60TS65DHRC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 56A TO-247N
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 56 A 223 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	56 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	90 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 30A
Leistung - Max.	223 W
Schaltenergie	660µJ (Ein), 810µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	36 nC
Td (on/off) bei 25°C	28ns/104ns
Testbedingung	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	103 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGS60

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30	€ 4,17567	€ 125,27
120	€ 3,51783	€ 422,14
510	€ 3,10931	€ 1.585,75

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