Name: RF4E075ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E075ATTCRTR-ND
Price: 1.056 EUR
Availability: InStock

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RF4E075ATTCR
cms-digikey-product-number	RF4E075ATTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RF4E075ATTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RF4E075ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	RF4E075ATTCR
cms-description	MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
cms-standard-lead-time	21 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-Kanal 30 V 7,5 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage HUML2020L8
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	RF4E075ATTCR Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21,7mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1000 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	HUML2020L8
Gehäuse / Hülle	8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer	RF4E075

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,88000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,05600

RF4E075ATTCR