N-Kanal 250 V 51 A (Tc) 2,23W (Ta), 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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RCX511N25

DigiKey-Teilenr.
RCX511N25-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RCX511N25
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 51 A (Tc) 2,23W (Ta), 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
51 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 25,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7000 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,23W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
RCX511
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Menge
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