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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 276
Stückpreis : € 38,12000
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Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 291
Stückpreis : € 36,96000
Datenblatt

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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 2 103
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Vorrätig: 184
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 13,70625
Datenblatt
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6024ENX

DigiKey-Teilenr.
R6024ENX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6024ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
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R6024ENX Modelle
Produkteigenschaften
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Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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500€ 1,59592€ 797,96
1 000€ 1,48800€ 1.488,00
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Standardverpackung des Herstellers
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