N-Kanal 500 V 9 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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R5009ANX

DigiKey-Teilenr.
846-R5009ANX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R5009ANX
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 9 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
720mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R5009
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