Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 1.02 EUR
Availability: InStock

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HS8K11TB
DigiKey-Teilenr.	HS8K11TBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HS8K11TBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	HS8K11TB
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 7 A, 11 A 2W Oberflächenmontage HSML3030L10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	HS8K11TB Modelle

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Hersteller Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11,1nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 500pF bei 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 2W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-UDFN mit freiliegendem Pad
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten HSML3030L10
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7 A, 11 A	Basis-Produktnummer HS8K11
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 17,9mOhm bei 7A, 10V

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HS8K11TB