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BSM600D12P3G001 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Vom Hersteller empfohlen
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM600D12P3G001 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 846-BSM600D12P3G001-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSM600D12P3G001 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassisbefestigung Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Obsolet | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 600 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,6V bei 182mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | - | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 31000pF bei 10V | |
Leistung - Max. | 2450W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | Modul | |
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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