Name: AG532EES4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG532EES4FRATCBTR-ND
Price: 2.46 EUR
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AG532EES4FRATCB
DigiKey-Teilenr.	846-AG532EES4FRATCBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-AG532EES4FRATCBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-AG532EES4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	AG532EES4FRATCB
Beschreibung	PCH -30V -85A, HPLF5060T5LSAH, P
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 85 A (Tc) 75W (Tc) Oberflächenmontage HPLF5060T5LSAH
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V
Herst. Rohm Semiconductor	Vgs (Max.) +5V, -20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1840 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 85 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten HPLF5060T5LSAH
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,3mOhm bei 10A, 10V	Gehäuse / Hülle SC-100, SOT-669
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 2,5mA