PMV65XPEA215 NXP USA Inc. | Einzelne FETs, MOSFETs

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PMV65XPEA215
DigiKey-Teilenr.	2156-PMV65XPEA215-ND
Hersteller	NXP USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PMV65XPEA215
Beschreibung	P-CHANNEL MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 2,8 A (Ta) 480mW (Ta), 6,25W (Tc) Oberflächenmontage TO-236AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9 nC @ 4.5 V
Herst. NXP USA Inc.	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 618 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 480mW (Ta), 6,25W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,8 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-236AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 78mOhm bei 2,8A, 4,5V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max.) bei Id 1,25V bei 250µA

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