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IRFD112

DigiKey-Teilenr.
2156-IRFD112-ND
Hersteller
Harris Corporation
Hersteller-Teilenummer
IRFD112
Beschreibung
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung 4-DIP, Hexdip
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
800mOhm bei 800mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
135 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-DIP, Hexdip
Gehäuse / Hülle
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