
IRFD112 | |
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DigiKey-Teilenr. | 2156-IRFD112-ND |
Hersteller | Harris Corporation |
Hersteller-Teilenummer | IRFD112 |
Beschreibung | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung 4-DIP, Hexdip |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 800mOhm bei 800mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 7 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 135 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 4-DIP, Hexdip | |
Gehäuse / Hülle |
| Lose im Beutel: | 821 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 550 | € 0,46744 | € 257,09 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,46744 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,56093 |


