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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPU80R1K4CEBKMA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPU80R1K4CEBKMA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPU80R1K4CEBKMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 240µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 570 pF @ 100 V |
Status der Komponente Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | Verlustleistung (max.) 63W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO251-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4Ohm bei 2,3A, 10V |
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