IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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STMicroelectronics

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IPSA70R1K4P7SAKMA1
DigiKey-Teilenr.	IPSA70R1K4P7SAKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 4 A (Tc) 22,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 40µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.7 nC @ 400 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 158 pF @ 400 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 22,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO251-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPSA70
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4Ohm bei 700mA, 10V