IPI50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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Rochester Electronics, LLC

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IPI50N10S3L16AKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPI50N10S3L16AKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPI50N10S3L16AKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 50 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 64 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4180 pF @ 25 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO262-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15,7mOhm bei 50A, 10V	Basis-Produktnummer IPI50N10
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 60µA