N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 59W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3 (Y-verformt)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQPF8N80CYDTU

DigiKey-Teilenr.
2156-FQPF8N80CYDTU-ND
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
FQPF8N80CYDTU
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 59W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3 (Y-verformt)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2050 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
59W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3 (Y-verformt)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,55Ohm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 367
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
MARKTPLATZPRODUKT
Wird in etwa 10 Tagen von Rochester Electronics LLC versendet
Es wird eine separate Versandpauschale von € 77,34 erhoben.
Maximales kauflimit
Um alle Kunden im Bereich Forschung und Entwicklung unterstützen zu können, gilt für dieses Produkt eine maximale Bestellmenge. Dieses Limit kann alle 30 Tage erworben werden; Bestellungen darüber hinaus können storniert werden.
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