
DTD113E | |
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DigiKey-Teilenr. | 2156-DTD113E-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DTD113E |
Beschreibung | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 350 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226) |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Transistor-Typ | NPN mit Vorspannung | |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100 mA | |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50 V | |
Widerstände enthalten | R1 und R2 | |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms | |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 1 kOhms | |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 3 bei 5mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV bei 300µA, 10mA | |
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) | 500nA | |
Leistung - Max. | 350 mW | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäuse / Hülle | TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-92 (TO-226) |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 7 869 | € 0,03455 | € 271,87 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,03455 |
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| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,04146 |


