Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 350 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
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DTD113E

DigiKey-Teilenr.
2156-DTD113E-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DTD113E
Beschreibung
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 350 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
3 bei 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 300µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Leistung - Max.
350 mW
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92 (TO-226)
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