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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TPD3215M | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TPD3215M-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TPD3215M |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 600V 70 A (Tc) 470W Durchkontaktierung Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28nC bei 8V |
Hersteller Renesas Electronics Corporation | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2260pF bei 100V |
Verpackung Lose im Beutel | Leistung - Max. 470W |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie GaNFET (Galliumnitrid) | Montagetyp Durchkontaktierung |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Gehäuse / Hülle Modul |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V | Gehäusetyp vom Lieferanten Modul |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 34mOhm bei 30A, 8V |
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