Name: TP65H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H300G4JSGB-TR-ND
Price: 4.716 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 9,2 A (Tc) 41,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)

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TP65H300G4JSGB-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H300G4JSGB-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H300G4JSGB-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H300G4JSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H300G4JSGB-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 9,2 A (Tc) 41,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 312mOhm bei 6,5A, 6V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V bei 500µA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3.5 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 400 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 41,6W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN