Name: TP65H070LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070LSG-TR-ND
Price: 15.768 EUR
Availability: InStock

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TP65H070LSG-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H070LSG-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H070LSG-CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H070LSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H070LSG-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 96W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 85mOhm bei 16A, 10V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 700µA
Serie TP65H070L	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 600 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 3-PQFN (8x8)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 3-PowerDFN