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TP65H035G4YS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H035G4YS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H035G4YS
Beschreibung
650V, 35MOHM GAN FET IN TO247-4L
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 4,3mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42.7 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2680 pF @ 400 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41 mOhm bei 30A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Informationen zur Lieferzeit
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