TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Einzelne FETs, MOSFETs

N-Kanal 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

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TP65H035G4WSQA
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H035G4WSQA
Beschreibung	650 V 46.5 GAN FET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 400 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 187W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 47,2A (Tc)	Montagetyp Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41 mOhm bei 30A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 1mA

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