Name: RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0TR-ND
Price: 3.216 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (4,9x5,75)

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RBA160N10EANS-4UA03#HB0
DigiKey-Teilenr.	559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (4,9x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 91 nC @ 10 V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6500 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 160 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFN (4,9x5,75)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,9mOhm bei 80A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 109µA