Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.48 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 30 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSON

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NP75P03YDG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP75P03YDG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSON
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP75P03YDG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 141 nC @ 10 V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4800 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 138W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 75 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSON
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,2mOhm bei 37,5A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-SMD, Flat-Lead Freiliegendes Lötauge
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer NP75P03