Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.72 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 60 V 100 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Oberflächenmontage TO-263

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NP100P06PDG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP100P06PDG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 100 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP100P06PDG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 300 nC @ 10 V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15000 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta), 200W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6mOhm bei 50A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA	Basis-Produktnummer NP100P06