Name: NE5550779A-T1A-A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2156-NE5550779A-T1A-A-ND
Price: 4.53851 EUR
Availability: InStock

RF-MOSFET 9 V 140 mA 900MHz 22dB 38,5dBm 79A

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NE5550779A-T1A-A
DigiKey-Teilenr.	2156-NE5550779A-T1A-A-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NE5550779A-T1A-A
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	RF-MOSFET 9 V 140 mA 900MHz 22dB 38,5dBm 79A
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs, HF-MOSFETs	Nennstrom (Ampere) 2,1A
Hersteller Renesas Electronics Corporation	Strom - Test 140 mA
Verpackung Lose im Beutel	Leistung - Abgabe 38,5dBm
Status der Komponente Aktiv	Spannung - Nennwert 30 V
Technologie LDMOS	Montagetyp Oberflächenmontage
Frequenz 900MHz	Gehäuse / Hülle 4-SMD, flache Anschlüsse
Verstärkung 22dB	Gehäusetyp vom Lieferanten 79A
Spannung - Test 9 V

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