RF-MOSFET 55 V 520 mA 3,5GHz 18,1dB 200W NI-650
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T1G4020036-FS

DigiKey-Teilenr.
2312-T1G4020036-FS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
T1G4020036-FS
Beschreibung
DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 55 V 520 mA 3,5GHz 18,1dB 200W NI-650
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Qorvo
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
HEMT
Konfiguration
N-Kanal
Frequenz
3,5GHz
Verstärkung
18,1dB
Spannung - Test
55 V
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Strom - Test
520 mA
Leistung - Abgabe
200W
Spannung - Nennwert
145 V
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
NI-650
Gehäusetyp vom Lieferanten
NI-650
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