PJP2NA60_T0_00001 Panjit International Inc. | Einzelne FETs, MOSFETs

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PJP2NA60_T0_00001
DigiKey-Teilenr.	3757-PJP2NA60_T0_00001-ND
Hersteller	Panjit International Inc.
Hersteller-Teilenummer	PJP2NA60_T0_00001
Beschreibung	600V N-CHANNEL MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 2 A (Ta) 44W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Panjit International Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.7 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 257 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 44W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,4Ohm bei 1A, 10V	Basis-Produktnummer PJP2

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Obsolet

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