N-Kanal 650 V 4,7 A (Tc) 22,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220AB-F
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PJMF990N65EC_T0_00001

DigiKey-Teilenr.
3757-PJMF990N65EC_T0_00001-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PJMF990N65EC_T0_00001
Beschreibung
650V SUPER JUNCTION MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4,7 A (Tc) 22,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220AB-F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.7 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
306 pF @ 400 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
22,5W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220AB-F
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
990mOhm bei 2A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 2 000
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 1,14000€ 1,14
10€ 0,71700€ 7,17
100€ 0,47430€ 47,43
500€ 0,37012€ 185,06
1 000€ 0,33656€ 336,56
2 000€ 0,31583€ 631,66
Standardverpackung des Herstellers
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