N-Kanal 650 V 4,7 A (Tc) 25,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220AB-F
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PJMF900N65E1_T0_00001

DigiKey-Teilenr.
3757-PJMF900N65E1_T0_00001-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PJMF900N65E1_T0_00001
Beschreibung
650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4,7 A (Tc) 25,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220AB-F
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
382 pF @ 400 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
25,5W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220AB-F
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
900mOhm bei 1,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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