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FQD4N20TM ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FQD4N20TM | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FQD4N20TMFSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQD4N20TM |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 3 A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FQD4N20TM Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,4Ohm bei 1,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 220 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2,5W (Ta), 30W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-252AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
Marktplatzoptionen: 90 000 Anzeigen
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90 000Vorrätig
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Österreich