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MOSFETs - Arrays 650V 31 A (Tc) 65,2W (Tj) Durchkontaktierung APM16
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NXVF6532M3TG01

DigiKey-Teilenr.
5556-NXVF6532M3TG01-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXVF6532M3TG01
Beschreibung
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 650V 31 A (Tc) 65,2W (Tj) Durchkontaktierung APM16
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
31 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
44mOhm bei 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 7,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1215pF bei 400V
Leistung - Max.
65,2W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
13-SSIP, freiliegendes Pad, geformte Zuleitungen
Gehäusetyp vom Lieferanten
APM16
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