MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Chassisbefestigung
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Chassisbefestigung
Module
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020P120MNF1PG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH020P120MNF1PG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH020P120MNF1PG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 20mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
213,5nC bei 20V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2420pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
119W (Tj)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
51 A (Tc)
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
30mOhm bei 50A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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