Name: NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 488-NXH015F120M3F1PTG-ND
Price: 69.42 EUR
Availability: InStock

MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)

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NXH015F120M3F1PTG
DigiKey-Teilenr.	488-NXH015F120M3F1PTG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH015F120M3F1PTG
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 30mA
Hersteller onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 211nC bei 18V
Verpackung Tablett	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4696pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 198W (Tj)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 4 N-Kanal (Vollbrücke)	Montagetyp Chassisbefestigung
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht	Gehäuse / Hülle Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäusetyp vom Lieferanten 22-PIM (33,8x42,5)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 77 A (Tc)	Basis-Produktnummer NXH015
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19mOhm bei 60A, 18V

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