MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Chassisbefestigung
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Chassisbefestigung
NXH008P120M3F1PTG

NXH008P120M3F1PTG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH008P120M3F1PTG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH008P120M3F1PTG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 60mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
419nC bei 18V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8334pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
382W (Tj)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
145 A (Tc)
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10,9mOhm bei 120A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
NXH008P120M3F1PGonsemi445556-NXH008P120M3F1PG-ND€ 90,38000Parametrisches Äquivalent
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