MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 338A (Tc) 1,098W (Tc) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8)
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NXH004P120M3F2PNG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH004P120M3F2PNG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH004P120M3F2PNG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 338A (Tc) 1,098W (Tc) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 120mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
876nC bei 20V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
16410pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
1,098W (Tc)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
338A (Tc)
Gehäusetyp vom Lieferanten
36-PIM (56,7x62,8)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,5mOhm bei 200A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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