Name: NXH003P120M3F2PTNG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
Price: 239.028 EUR
Availability: InStock

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NXH003P120M3F2PTNG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH003P120M3F2PTNG
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 435A (Tj) 1480W (Tj) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 160mA
Hersteller onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1200nC bei 20V
Verpackung Tablett	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 20889pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1480W (Tj)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäuse / Hülle Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 435A (Tj)	Gehäusetyp vom Lieferanten 36-PIM (56,7x62,8)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 200A, 18V	Basis-Produktnummer NXH003

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