Name: NVTFS5826NLWFTWG-UM
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTFS5826NLWFTWG-UMTR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: OutOfStock

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NVTFS5826NLWFTWG-UM
DigiKey-Teilenr.	488-NVTFS5826NLWFTWG-UMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVTFS5826NLWFTWG-UMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVTFS5826NLWFTWG-UMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVTFS5826NLWFTWG-UM
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 7,6 A (Ta) 3,2W (Ta) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 850 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7,6 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-WDFN (3,3x3,3)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 10A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA