N-Kanal 60 V 632mA (Ta), 853mA (Tc) 1,437W (Ta), 2,617W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 3-XDFNW (1x1)
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NVNJWS1K6N061LTAG

DigiKey-Teilenr.
488-NVNJWS1K6N061LTAG-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NVNJWS1K6N061LTAG
Beschreibung
MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 632mA (Ta), 853mA (Tc) 1,437W (Ta), 2,617W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 3-XDFNW (1x1)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
632mA (Ta), 853mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,6Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
26 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,437W (Ta), 2,617W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-XDFNW (1x1)
Gehäuse / Hülle
3-XFDFN
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