Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.728 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMTS1D2N08H
DigiKey-Teilenr.	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMTS1D2N08H
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMTS1D2N08H Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 147 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10100 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 300W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 43,5A (Ta), 337A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,1mOhm bei 90A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 590µA	Basis-Produktnummer NVMTS1