NVMFS5832NLWFT3G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

N-Kanal 40 V 21 A (Ta) 3,7W (Ta), 127W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS5832NLWFT3G
DigiKey-Teilenr.	NVMFS5832NLWFT3G-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS5832NLWFT3G
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 21 A (Ta) 3,7W (Ta), 127W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMFS5832NLWFT3G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,2mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 127W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS5

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