Name: NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5830NLWFT1G-UMTR-ND
Price: 1.992 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5830NLWFT1G-UM
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFS5830NLWFT1G-UMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFS5830NLWFT1G-UMDKR-ND - Digi-Reel® 488-NVMFS5830NLWFT1G-UMTR-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS5830NLWFT1G-UM
Beschreibung	POWER MOSFET 40V, 185A, 2.3 MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 29 A (Ta) 3,8W (Ta) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 113 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5880 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 20A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA	Basis-Produktnummer NVMFS5

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Lose im Beutel

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1 500	€ 0,80223	€ 1.203,35
3 000	€ 0,76077	€ 2.282,31

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Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,99200

NVMFS5830NLWFT1G-UM