Name: NVMFD6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND
Price: 1.896 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFD6H852NLT1G
DigiKey-Teilenr.	NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMFD6H852NLT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMFD6H852NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFD6H852NLT1G
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Standardlieferzeit des Herstellers	31 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 80V 7A (Ta), 25A (Tc) 3,2W (Ta), 38W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10nC bei 10V
Hersteller onsemi	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 521pF bei 40V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 3,2W (Ta), 38W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7A (Ta), 25A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25,5mOhm bei 10A, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 26µA	Basis-Produktnummer NVMFD6