MOSFETs - Arrays 40V 18 A (Ta), 84 A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFETs - Arrays 40V 18 A (Ta), 84 A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
8 DFN

NVMFD5C462NLWFT1G

DigiKey-Teilenr.
NVMFD5C462NLWFT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
NVMFD5C462NLWFT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
NVMFD5C462NLWFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NVMFD5C462NLWFT1G
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Standardlieferzeit des Herstellers
50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 40V 18 A (Ta), 84 A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18 A (Ta), 84 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,7mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,2V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300pF bei 25V
Leistung - Max.
3W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Basis-Produktnummer
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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