Name: NTTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.344 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFS5116PLTWG
DigiKey-Teilenr.	NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS5116PLTWG
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFS5116PLTWG Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1258 pF @ 30 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,7 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-WDFN (3,3x3,3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 52mOhmA 6A, 10V	Basis-Produktnummer NTTFS5