Name: NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND
Price: 3.072 EUR
Availability: InStock

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NTTFD9D0N06HLTWG
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFD9D0N06HLTWGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFD9D0N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFD9D0N06HLTWG
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 9A 12WQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 9A (Ta), 38A (Tc) 1,7W (Ta), 26W (Tc) Oberflächenmontage 12-WQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFD9D0N06HLTWG Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 50µA
Hersteller onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13,5nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 948pF bei 30V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1,7W (Ta), 26W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäuse / Hülle 12-PowerWQFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9A (Ta), 38A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 12-WQFN (3,3x3,3)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer NTTFD9