Name: NTTFD4D1N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND
Price: 2.184 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFD4D1N03P1E
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFD4D1N03P1E
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 12 A (Ta), 54 A (Tc) 1W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 12-WQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFD4D1N03P1E Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 270µA
Hersteller onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC bei 10V, 14nC bei 10V
Serie PowerTrench®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1103pF bei 15V, 972pF bei 15V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 1W (Ta), 20W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle 12-PowerWQFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten 12-WQFN (3,3x3,3)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Ta), 54 A (Tc)	Basis-Produktnummer NTTFD4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,3mOhm bei 10A, 10V, 3,5mOhm bei 10A, 10V