MOSFETs - Arrays 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3)
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NTTFD1D8N02P1E

DigiKey-Teilenr.
488-NTTFD1D8N02P1E-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTTFD1D8N02P1E
Beschreibung
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
PowerTrench®
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
N-Kanal (zweifach), asymmetrisch
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Ta), 21A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,2mOhm bei 15A, 10V, 1,4mOhm bei 29A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 190µA, 2V bei 310µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5,5nC bei 4,5V, 17nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
873pF bei 15V, 2700pF bei 15V
Leistung - Max.
800mW (Ta), 900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (3,3x3,3)
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Menge
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