N-Kanal 20 V 2,9 A (Tj) 910mW (Tj) Oberflächenmontage ChipFET™
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NTHD4N02FT1G

DigiKey-Teilenr.
NTHD4N02FT1GOS-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTHD4N02FT1G
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 20 V 2,9 A (Tj) 910mW (Tj) Oberflächenmontage ChipFET™
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2,9 A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80mOhm bei 2,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
300 pF @ 10 V
FET-Merkmal
Schottky-Diode (isoliert)
Verlustleistung (max.)
910mW (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
ChipFET™
Gehäuse / Hülle
8-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer
NTHD4N
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Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe