N-Kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
TO-247-4

NTH4L025N065SC1

DigiKey-Teilenr.
5556-NTH4L025N065SC1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NTH4L025N065SC1
Beschreibung
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
NTH4L025N065SC1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 15,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
164 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3480 pF @ 15 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
348W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
28,5mOhm bei 45A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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