N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage 8-HPSOF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTBL032N065M3S

DigiKey-Teilenr.
488-NTBL032N065M3S-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTBL032N065M3S
Beschreibung
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage 8-HPSOF
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
44mOhm bei 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 7,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1396 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-HPSOF
Gehäuse / Hülle
8-PowerSFN
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 1 893
DigiKey kann zurzeit aufgrund einer vorübergehenden Lieferbeschränkung keine Rückstandsbestellungen annehmen.
Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 7,24000€ 7,24
10€ 4,93600€ 49,36
100€ 3,63240€ 363,24
500€ 3,15078€ 1.575,39
Stückpreis ohne MwSt.:€ 7,24000
Stückpreis mit MwSt.:€ 8,68800
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
1 Artikel
SCT040TO65G3

SCT040TO65G3

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

€ 8,31000