NTB5405NT4G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NTB5405NT4G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

onsemi

Vorrätig: 271

Stückpreis : € 2,56000

Ähnlich

Nexperia USA Inc.

Vorrätig: 6 320

Stückpreis : € 1,76000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1 415

Stückpreis : € 3,14000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1 528

Stückpreis : € 2,30000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 449

Stückpreis : € 4,05000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTB5405NT4G
DigiKey-Teilenr.	NTB5405NT4GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTB5405NT4G
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 116 A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTB5405NT4G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	116 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,8mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4000 pF @ 32 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	NTB5405